晶圓代工廠聯電（2303）與記憶體大廠美光在記憶體領域的訴戰火，從今年初開打迄今，聯電今天宣布中國福州市中級人民法院，對美光半導體（西安）與美光半導體銷售（上海）侵害聯電專利出民事裁決，針對美光半導體的銷售禁制令，包括美光在中國部分的DRAM和與NAND、固態硬碟與記憶體等相關產品禁止銷售。
 
聯電今年元月向中國福州市中級人民法院遞狀，控告美光在DRAM及固態硬碟（SSD）等記憶體產品3個領域涉嫌侵害聯電中國公司專利。
 
本次判決主要內容包括，美光半導體（西安）應立即停止製造、銷售、進口鉑勝運動Ballistix 鉑勝台式內存DDR4 2400 8G兩條裝(實物商品型號：Crucial 英睿達內存條BALLISTIX 16GB KIT 2-8GB DDR4-2400 UDIMM 1.2V)及BX晶片等12項產品。
 
美光半導體銷售（上海）應立即停止銷售、進口Crucial 英睿達 DDR4 2400 8G 筆記本內存條及C9BGM 晶片等17項產品。
 
廈門市思明區信通源電腦經營部立即停止銷售、許諾銷售Crucial 英睿達DDR4-2400 8G筆記本內存條及C9BGM 晶片。
 
聯電共同總經理王石表示，聯電對此判決感到滿意，由於聯電投入大量資源和人力進行研究和開發開發半導體製造技術，並且獲得多國專利，聯電將全力維護智慧財產權，絕不容許任何的侵犯。
 
隨著今天的裁決，未來美光部分產品將在整個中國市場禁制銷售。聯電表示，美光侵害聯電專利權，已使其對外宣稱本公司無記憶體晶片相關技術，而須竊取其營業秘密的指控，不攻自破。

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