專利創新：日經：第三代半導體專利競爭 美日企業包下前五名
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來源:  鉅亨網  陳達誠  2021-10-7

第三代半導體碳化矽 (SiC) 的專利競爭激烈，根據《日本經濟新聞》7 日報導，相關專利數量最多的前五名都是來自美國、日本的大企業。其中第一名是美國科銳 (Cree)，接下來是日本羅姆 (Rohm)、住友電工、三菱電機和 Denso。
 
日本經濟新聞在 7 日報導中提到，根據從事專利分析的日本 Patent Result 所整理出的數據，在與第三代半導體碳化矽有關的專利方面，美國科銳所持有的專利數量最多，二到四名則全部被日本企業包辦。
 
Patent Result 的計算方式是基於 2021 年 7 月 29 日為止的美國已發行專利數量，再把數量及矚目程度轉換成分數來算出得分。
 
碳化矽可取代以往半導體材料的矽利光 (Silicone)，特別是在功率半導體等用途上，可提升性能、也有利節能。目前碳化矽已普遍使用在電動車和太陽光電系統的變頻器上頭，用途也愈來愈廣。還有在脫碳潮流的發展之下，碳化矽的應用也備受矚目...(詳細見原文)

關鍵字：#第三代半導體    #專利申請    #專利布局    

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